专利详情
Patent Details
专利类别:实用新型 | 申请号: CN200820212300.6 | 申请日期:2008-09-28 |
公开日期:2009-09-16 | 专利名称: 2N阶伽玛产生电路 | 发明人:管少钧,龚夺,何志强,杨云,冯卫 |
法律状态:未缴年费专利权终止 | 申请人:比亚迪股份有限公司 | 公开号:CN201311768Y |
主分类号:G09G3/36(20060101) | 优先权号: | 行业分类:G:物理 |
优先权日: | 专利权人:比亚迪股份有限公司 | 评估得分: |
专利附图
Patent Picture
摘 要
Summary
本实用新型公开了一种2N(N为大于或等于1的正整数)阶伽玛产生电路,包括N阶伽玛电压产生电路和运算电路,其中所述的运算电路包括:存储FRC调制数据的SRAM存储器;与SRAM存储器连接、对所述FRC调制数据进行FRC调制处理的FRC调制模块;分别与FRC调制模块连接、N阶伽玛电压产生电路及地连接的根据FRC调制模块处理后的数据选择电压输出的选择器。本实用新型利用具有FRC调制功能的运算电路,只需要N阶伽玛电压产生电路所需电阻就能实现2N阶伽玛电压,减少了2N阶伽玛电压产生电路使用的电阻数量,减少伽玛电压产生电路所占的芯片面积,达到节省芯片面积的目的。
交易流程
Trading Process
过户资料
Transfer Data
具体描述
Specific Description