专利详情
Patent Details
| 专利类别：实用新型 | 申请号： CN201120172130.5 | 申请日期：2011-05-26 |
| 公开日期：2011-12-14 | 专利名称： 一种可控硅的隔离触发电路 | 发明人：何山 |
| 法律状态：未缴年费专利权终止 | 申请人：比亚迪股份有限公司 | 公开号：CN202077009U |
| 主分类号：H03K19/14(20060101) | 优先权号： | 行业分类：H:电学 |
| 优先权日： | 专利权人：比亚迪股份有限公司 | 评估得分： |
专利附图
Patent Picture
摘 要
Summary
本实用新型提供了一种可控硅的隔离触发电路，包括二极管D51、电阻R51、R52、R53、稳压件、电容C51、晶体管耦合器U51、及双向可控硅TR51；双向可控硅TR51的T2极通过负载同时与交流电源的一端及二极管D51的阳极相连，其T1极接交流电源的另一端；二极管D51的阴极通过电阻R53接晶体管耦合器的三极管的集电极；晶体管耦合器的二极管的阳极接直流电源输出端，其阴极通过电阻R52与控制信号输出端相连，晶体管耦合器的三极管的发射极通过电阻R51接双向可控硅TR51的G极；稳压件与电容C51并联后连接于晶体管耦合器的三极管的集电极与双向可控硅的T1极之间。本实用新型提供的可控硅的隔离触发电路具有结构简单、成本较低的优点。
交易流程
Trading Process
过户资料
Transfer Data
具体描述
Specific Description
